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 NAND Flash 匯流排觸發與解碼

近年以來受惠影音消費性電子產品興起的熱潮，消費者對資料儲存的需求與日俱增，使得NAND Flash的需求出現大幅度的成長。

快閃記憶體(Flash Memory)目前分為NOR和NAND兩種，NOR、NAND Flash結構由東芝(Toshiba)於1988 和1989年發表。NOR Flash具有XIP (eXecute In Place)的特點，這樣應用程序可以直接在Flash內運行，不必再把原始碼讀到系統RAM中，也因此部份NOR Flash被當作ROM使用。NOR Flash傳輸效率很高，在1~4MB的小容量具有很高的成本效益，但是很低的寫入和抹除速度大大影響它的性能。而NAND Flash能提供較高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND Flash的困難在於需要特殊的系統管理方法，所以需要1個控制晶片(NAND Flash Controller)。一般而言NOR Flash僅用來儲存少量的代碼，而NAND Flash則用做大量資料儲存用途。目前市場上主要的NAND Flash製造商為三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、SK海力士(Hynix)、美光(Micron)和新帝(SanDisk)等。

NAND Flash需求主要集中在智慧型手機、平板電腦、雲端儲存大型資料庫用的固態硬碟(SSD)以及應用在消費端如記憶卡(Secure Card)、隨身碟(USB Disk)等。

雖然NAND Flash如此蓬勃的發展，但市面上針對NAND Flash匯流排的除錯工具真可謂少之又少，Acute PC-Based邏輯分析儀提供NAND Flash匯流排觸發與解碼。NAND Flash匯流排解碼可以幫助工程師解讀訊號而觸發功能則可以快速定位到NAND Flash Command/Address/Data，甚至是busy time error的位置。

NAND Flash匯流排解碼:

NAND Flash匯流排解碼支援Samsung/Toshiba/Hynix/Micron/Intel/ST/Spansion/

Winbond/Macronix/ONFI等廠牌。

其中”儲存NAND Flash Data”功能可將NAND Flash匯流排解出來的資料，屬於Data的部份另外存成.Bin檔案，因為NAND Flash是一種會發生壞塊(Bad Block)的儲存架構，所以需要制定一套壞塊管理方法。而工程師可以利用這些檔案來檢視其壞塊管理法是否適當。“Reduced Report”功能可讓報告視窗僅顯示NAND Flash Command，這樣就可以僅檢視NAND Flash Command而不會被大量NAND Flash Data佔據整個報告視窗。

NAND Flash匯流排觸發:

NAND Flash匯流排觸發除了可以快速定位NAND Flash command/address/data以及busy time error的位置之外，還可以利用NAND Flash匯流排觸發提供的Clause Trigger架構以及搭配Timer/Counter來做不同的觸發組合。

出現10次NAND Flash erase時觸發:

可以藉由上述之觸發組合來檢測Flash擦除(erase)次數是否正確；也可以利用類似的觸發組合來檢測NAND Flash其他的指令是否正常運作，諸如寫入Flash、讀取Flash等等。

Acute PC-Based邏輯分析儀NAND Flash匯流排觸發與解碼功能可以幫助NAND

Flash工程師快速解讀以及定位NAND Flash訊號，節省除錯時間並加快產品上

市時間。